視頻標(biāo)簽:離子晶體
視頻課題:人教版高二化學(xué)選修三《離子晶體》四川省 - 內(nèi)江
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人教版高二化學(xué)選修三《離子晶體》四川省 - 內(nèi)江
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第三章第四節(jié) 離子晶體
第一課時(shí)
一、 教材分析
必修2已經(jīng)學(xué)過離子鍵、離子化合物等基礎(chǔ)內(nèi)容,本節(jié)直接給出氯化鈉、氯化銫晶胞, 然后在科學(xué)探究的基礎(chǔ)上介紹影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素,通過觀察典型的離子晶體模型來進(jìn)一步理解離子晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn),為學(xué)習(xí)晶格能作好知識的鋪墊。 二、 學(xué)情分析
通過對分子晶體、原子晶體、金屬晶體的學(xué)習(xí),學(xué)生已初步具備分析晶胞結(jié)構(gòu)的 能力;另外通過高一的學(xué)習(xí),學(xué)生也具備了離子鍵、離子半徑、離子化合物等基礎(chǔ)知識,因此結(jié)合教材的特點(diǎn)及所設(shè)計(jì)的教學(xué)方法,力求把教師的講授轉(zhuǎn)變?yōu)閱l(fā)誘導(dǎo),把學(xué)生的被動接受轉(zhuǎn)化為主動探索。以教師為主導(dǎo),學(xué)生為主體,促使學(xué)生去動眼看,動手做,動口說,動腦想,使學(xué)生的學(xué)習(xí)過程與認(rèn)識過程統(tǒng)一為一個(gè)整體。 三、教學(xué)目標(biāo) 1、知識與技能:
(1)理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)。 (2)了解離子晶體中離子晶體配位數(shù)及其影響因素。 (3)了解決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。 2、過程與方法:
通過學(xué)習(xí)離子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),了解研究物質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本方法和實(shí)驗(yàn)手段,培養(yǎng)運(yùn)用知識解決實(shí)際問題的能力,培養(yǎng)學(xué)生的空間想像能力。 3、情感態(tài)度與價(jià)值觀:
通過學(xué)習(xí)離子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),激發(fā)學(xué)生探究熱情與精神。進(jìn)一步認(rèn)識“結(jié)構(gòu)決定物質(zhì)性質(zhì)”的客觀規(guī)律 四、教學(xué)重點(diǎn):
離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn);離子晶體配位數(shù)及其影響因素; 五、教學(xué)難點(diǎn):
離子晶體配位數(shù)及其影響因素; 六、教學(xué)方法:
1、通過創(chuàng)設(shè)情景引入課題,引導(dǎo)學(xué)生提出問題-分析問題-解決問題這一模式進(jìn)行螺旋教學(xué),設(shè)置“活動元”,以突破教學(xué)重點(diǎn),并調(diào)動學(xué)生探究的積極性。 2.以多媒體作為教學(xué)的輔助手段,增強(qiáng)課堂密度和授課內(nèi)容的直觀性。
3.采用“啟發(fā)——討論”式教學(xué)方法,在課堂上既有教師提問又有學(xué)生提問,既有師生交流又有生生交流。
七、教學(xué)過程
2
教學(xué)步驟、內(nèi)容
教學(xué)方法、手段、
師生活動
[引課]NaCl晶體形成過程的視頻
[過渡]由陰、陽離子通過離子鍵形成的晶體為離子晶體,今天我們來研究離子
晶體。 [板書]
第四節(jié) 離子晶體
一、離子晶體
1.定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。 [復(fù)習(xí)]離子鍵:陰、陽離子之間強(qiáng)烈的相互作用力 定義理解:(1)構(gòu)成微粒:陰、陽離子
(2)微粒間的作用:陰、陽離子間離子鍵
[課堂練習(xí)一]
[過渡]離子晶體種類繁多,結(jié)構(gòu)多樣,學(xué)習(xí)幾種典型的晶胞 【活動一】 [觀察]NaCl 的晶胞
①NaCl晶胞中Na+和Cl-的相對位置?微粒個(gè)數(shù)? ②在NaCl晶胞中,與Na+ (Cl-)等距離且最近的Cl- (Na+)有幾個(gè)?
③在NaCl晶胞中,與Na+ (Cl-)等距離且最近的Na+ (Cl-)有幾個(gè)?
[觀察]CsCl 的晶胞,類比NaCl晶胞的學(xué)習(xí)
①CsCl晶胞中Cs+和Cl-的相對位置?微粒個(gè)數(shù)?
②在CsCl晶胞中,與Cs+ (Cl-)等距離且最近的Cl- (Cs+)有幾個(gè)?
③在CsCl晶胞中,與Cs+ (Cl-)等距離且最近的Cs+ (Cl-)有幾個(gè)?
[活動二]對比兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù)?你認(rèn)為什么因素決 定了離子晶體中離子的配位數(shù)?利用相關(guān)數(shù)據(jù)計(jì)算,并填并填表。
離子晶體 陰離子的配位數(shù)
陽離子的配位數(shù)
NaCl 6 6 CsCl
8
8
通過練習(xí),鞏固對 概念的理解
通過對模型的觀 察,加強(qiáng)對離子晶 體的理解
對比學(xué)習(xí),引出影 響晶體結(jié)構(gòu)的因素
3
[投影]探究練習(xí)參考資料:
離子 Na+
Cs+
Cl-
離子半徑/pm 95
169
18l
NaCl CsCl r+/r-=0.52 r+/r-=0.93 C.N=6
C.N=8
[講] 顯而易見,NaCl和CsCl是兩種不同類型的晶體結(jié)構(gòu)。晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+/r-)是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素,簡稱幾何因素。 觀察CaF2晶胞
[講] 上面兩例中每種晶體的正負(fù)離子的配位數(shù)相同,是由于正負(fù)離子電荷(絕對值)相同,于是正負(fù)離子的個(gè)數(shù)相同,結(jié)果導(dǎo)致正負(fù)離子配位數(shù)相等,如在NaCl中,Na+
和C1
-
的配位數(shù)均為6。如果正負(fù)離子的電荷不同,正負(fù)離子的個(gè)數(shù)必定不相同,結(jié)果,正負(fù)離
子的配位數(shù)就不會相同。這種正負(fù)離子的電荷比也是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要
因素,簡稱電荷因素。例如,在CaF2晶體中,Ca2+和F-
的電荷比(絕對值)是2:l,Ca2+和F-的個(gè)數(shù)比是l:2,如圖3—29所示。Ca2+的配位數(shù)為8,F(xiàn)-
的配位數(shù)為4。此外,離子晶體的結(jié)構(gòu)類型還取決于離子鍵的純粹程度(簡稱鍵性因素)。 [投影]3.影響因素:
(1) 幾何因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+/r-)。
[講]離子鍵無飽和性和方向性,但成鍵時(shí)因離子半徑?jīng)Q定了陰陽離子參加成
鍵的數(shù)目是有限的。陰陽離子半徑比值越大,配位數(shù)就越大。 (2) 電荷因素:正負(fù)離子的電荷比。 (3) 鍵性因素:離子鍵的純粹程度。 [活動三]分析離子晶體的熔沸點(diǎn)
離子晶體 熔點(diǎn) 沸點(diǎn)
CsCl 645℃ 1290℃ NaCl 801℃ 1413℃ NaBr 747℃ 1390℃ NaI
661℃ 1304℃
4.離子晶體的物理性質(zhì)
表格分析,培養(yǎng)學(xué) 生歸納總結(jié)的能力
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(1) 較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),難揮發(fā)、難于壓縮。
[講]離子晶體的熔沸點(diǎn),取決于構(gòu)成晶體的陰陽離子間的離子鍵的強(qiáng)弱
離子晶體中,由于離子鍵的強(qiáng)烈作用,離子晶體表現(xiàn)出較高的硬度,當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí),部分離子鍵發(fā)生斷裂,導(dǎo)致晶體破碎。 (2) 硬而脆,無延展性
[講]離子晶體中陰陽離子交替出現(xiàn),層與層之間如果滑動,同性離子相鄰而
使斥力增大導(dǎo)致不穩(wěn)定,所以離子晶體無延展性。
[講]由于離子晶體中離子鍵作用較強(qiáng),離子晶體不能自由移動,即晶體中無
自由移動離子,因此,離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高溫度時(shí),陰陽離子獲得足
夠能量克服了離子間相互作用,成為自由移動的離子,在外界電場作用下,離子定向移動而導(dǎo)電。離子化合物溶于水時(shí),陰陽離子受到水分子作用變成了自由移動的離子(或水合離子),在外界電場作用下,陰陽離子定向移動而導(dǎo)電。
(3) 不導(dǎo)電,但熔化后或溶于水后能導(dǎo)電。
[講]當(dāng)把離子晶體放在水中時(shí),極性水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引,
使晶體中的離子克服離子間的作用而離開晶體,變成在水中自由移動的離子。
(4) 大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑中,難溶于非極性溶劑中。
[小結(jié)]化學(xué)變化過程一定發(fā)生舊化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)鍵的形成,但破壞化
學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵的過程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化。 【當(dāng)堂檢測】 【小結(jié)】
視頻來源:優(yōu)質(zhì)課網(wǎng) www.jjlqy.cn
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